Single Crystal Silicon Ingot Featured Image

واحد کرسټال سیلیکون انګوټ

تفصیل

واحد کرسټال سیلیکون انګوټis معمولا وده کوي د کره ډوپینګ او ایستلو ټیکنالوژیو Czochralski CZ لخوا د لوی سلنډر انګوټ په توګه، مقناطیسي ساحه د Czochralski MCZ او Floating Zone FZ میتودونو لخوا هڅول شوې.د CZ میتود تر 300mm پورې قطر کې د سیلیکون کرسټال وده لپاره خورا پراخه کارول کیږي چې د بریښنایی صنعت کې د سیمی کنډکټر وسیلو جوړولو لپاره کارول کیږي.د MCZ میتود د CZ میتود یو توپیر دی په کوم کې چې مقناطیسي ساحه د برقی مقناطیس لخوا رامینځته کیږي، کوم چې کولی شي د کم اکسیجن غلظت په پرتله، د ناپاکۍ ټیټ غلظت، ټیټ بې ځایه کیدو او یونیفورم مقاومت توپیر ترلاسه کړي.د FZ میتود د 1000 Ω-cm څخه پورته لوړ مقاومت او د ټیټ اکسیجن مینځپانګې سره د لوړ پاکوالي کرسټال لاسته راوړل اسانه کوي.

تحویلي

واحد کریسټال سیلیکون انګوټ CZ، MCZ، FZ یا FZ NTD په ویسټرن مین میټلز (SC) کارپوریشن کې د n-type یا p-type conductivity سره د 50mm، 75mm، 100mm، 125mm، 150mm او 200mm قطر (2, 3) اندازې کې وړاندې کیدی شي. , 4، 6 او 8 انچ)، اورینټیشن <100>، <110>، <111> د پلاستيکي کڅوړې په کڅوړه کې دننه د کارټون بکس سره دننه، یا د مناسب حل ته د رسیدو لپاره د دودیز مشخصاتو په توګه.

اوس پوښتنه وکړئ

جزیات

ټګونه

تخنیکي مشخصات

واحد کرسټال سیلیکون انګوټ

واحد کرسټال سیلیکون انګوټ CZ، MCZ، FZ یا FZ NTDپه ویسټرن مین میټلز (SC) کارپوریشن کې د n-type یا p-type چالکتیا سره د 50mm، 75mm، 100mm، 125mm، 150mm او 200mm قطر (2, 3, 4, 6 and 8 inch) په اندازې کې وړاندې کیدی شي، اورینټیشن <100 >، <110>، <111> د پلاستيکي کڅوړې په بسته کې د سطحې سره د کارټون بکس دننه دننه، یا د مناسب حل ته د رسیدو لپاره د دودیز مشخصاتو په توګه.

نه.	توکي	معیاري مشخصات
1	اندازه	۲، ۳، ۴، ۵، ۶، ۸، ۹،۵، ۱۰، ۱۲"
2	قطر mm	50.8-241.3، یا لکه څنګه چې اړتیا وي
3	د ودې طریقه	CZ، MCZ، FZ، FZ-NTD
4	د چلولو ډول	P-type / بورون doped، N-type / Phosphide doped یا Un-doped
5	اوږدوالی mm	≥180 یا لکه څنګه چې اړتیا وي
6	اوریدنه	<100>، <110>، <111>
7	مقاومت Ω-cm	لکه څنګه چې اړتیا وي
8	د کاربن مواد a/cm³	≤5E16 یا لکه څنګه چې اړتیا وي
9	د اکسیجن مواد a/cm³	≤1E18 یا لکه څنګه چې اړتیا وي
10	د فلزي ککړتیا a/cm³	<5E10 (Cu, Cr, Fe, Ni) یا <3E10 (Al, Ca, Na, K, Zn)
11	بسته بندي	دننه پلاستيکي کڅوړه، د پلووډ قضیه یا بهر د کارتن بکس.

سمبول	Si
اټومي شمیره	14
اټومي وزن	۲۸.۰۹
د عنصر کټګوري	Metalloid
ګروپ، موده، بلاک	۱۴، ۳، مخ
کرسټال جوړښت	الماس
رنګ	خړ خړ
د وېلې کېدو نقطه	1414°C، 1687.15 K
د اېشېدلو ټکی	3265°C، 3538.15 K
کثافت په 300K کې	2.329 g/cm³
داخلي مقاومت	3.2E5 Ω-cm
د CAS شمیره	7440-21-3
د EC شمیره	231-130-8

واحد کرسټال سیلیکون انګوټکله چې په بشپړه توګه وده وکړي او د مقاومت وړتیا، د ناپاکۍ مینځپانګې، د کرسټال بشپړتیا، اندازې او وزن سره مخ شي، د الماس د څرخونو په کارولو سره د ښي قطر لپاره یو مناسب سلنډر جوړیږي، بیا د پیس کولو پروسې لخوا پاتې شوي میخانیکي نیمګړتیاوې لرې کولو لپاره د نقاشي پروسې څخه تیریږي. .وروسته د سلنډر انګوټ د ټاکلي اوږدوالي سره په بلاکونو کې پرې کیږي، او د اتوماتیک ویفر اداره کولو سیسټمونو لخوا د سیند کولو لپاره نوچ او ابتدايي یا ثانوي فلیټ ورکول کیږي ترڅو د لاندې د ویفر ټوټې کولو پروسې دمخه د کریسټالوګرافیک اړخ او چالکتیا وپیژني.