سیلیکون کاربایډ SiC

تفصیل

سیلیکون کاربایډ ویفر SiC, د MOCVD میتود په واسطه خورا سخت ، په مصنوعي ډول د سیلیکون او کاربن کرسټال تولید شوی ، او نندارې ته وړاندې کیږيد دې بې ساري پراخه بانډ تشه او د تودوخې توسعې ټیټ کفایت ، د لوړې عملیاتي تودوخې ، د تودوخې ښه تحلیل ، ټیټ سویچنګ او لیږدونې ضایعات ، د انرژي ډیر موثریت ، لوړ حرارتي چالکتیا او قوي بریښنایی ساحې ماتیدو ځواک ، او همدارنګه ډیر متمرکز جریان نور مناسب ځانګړتیاوې. حالتسیلیکون کاربایډ SiC په ویسټرن مین میټلز (SC) کارپوریشن کې د 2″ 3' 4″ او 6″ (50mm، 75mm، 100mm، 150mm) قطر په اندازې کې چمتو کیدی شي، د صنعت لپاره د n-ډول، نیمه موصل یا ډمي ویفر سره. او لابراتوار غوښتنلیک. هر ډول دودیز مشخصات په ټوله نړۍ کې زموږ د پیرودونکو لپاره د مناسب حل لپاره دي.

غوښتنلیکونه

د لوړ کیفیت 4H/6H سیلیکون کاربایډ SiC ویفر د ډیری عصري غوره ګړندي ، لوړ تودوخې او لوړ ولټاژ بریښنایی وسیلو لکه Schottky diodes او SBD ، د لوړ بریښنا سویچنګ MOSFETs او JFETs ، او داسې نورو جوړولو لپاره مناسب دی. همدارنګه د موصل شوي دروازې بایپولر ټرانزیسټرونو او تایریسټورونو په تحقیق او پراختیا کې د پام وړ مواد.د نوي نسل د غوره سیمی کنډکټینګ موادو په توګه ، سیلیکون کاربایډ SiC ویفر د لوړ ځواک LEDs اجزاو کې د تودوخې مؤثره خپرونکي په توګه هم کار کوي ، یا د راتلونکي هدف شوي ساینسي سپړنې په ګټه د GaN پرت وده کولو لپاره د مستحکم او مشهور سبسټریټ په توګه.

اوس پوښتنه وکړئ

جزیات

ټګونه

تخنیکي مشخصات

سیلیکون کاربایډ SiC

سیلیکون کاربایډ SiCپه West Minmetals (SC) کارپوریشن کې د 2″ 3' 4″ او 6″ (50mm، 75mm، 100mm، 150mm) قطر په اندازې کې چمتو کیدی شي، د صنعتي او لابراتوار غوښتنلیک لپاره د n-ډول، نیمه موصل یا ډمي ویفر سره. .کوم دودیز مشخصات په ټوله نړۍ کې زموږ د پیرودونکو لپاره د مناسب حل لپاره دي.

خطي فورمول	SiC
مالیکولر وزن	40.1
کرسټال جوړښت	Wurtzite
بڼه	سالم
د وېلې کېدو نقطه	3103±40K
د اېشېدلو ټکی	N/A
کثافت په 300K کې	3.21 g/cm³
د انرژي تشه	(3.00-3.23) eV
داخلي مقاومت	>1E5 Ω-cm
د CAS شمیره	409-21-2
د EC شمیره	206-991-8

نه.	توکي	معیاري مشخصات
1	د سی سی اندازه	2"	3"	4"	6"
2	قطر mm	50.8 0.38	76.2 0.38	100 0.5	150 0.5
3	د ودې طریقه	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	د چلولو ډول	4H-N، 6H-N، 4H-SI، 6H-SI
5	مقاومت Ω-cm	0.015-0.028;0.02-0.1;>1E5
6	اوریدنه	0°±0.5°؛4.0° د <1120> په لور
7	ضخامت μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	لومړني فلیټ ځای	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	د لومړني فلیټ اوږدوالی mm	16±1.7	22.2±3.2	32.5±2	47.5±2.5
10	ثانوي فلیټ ځای	سیلیکون مخ پورته: 90°، د ساعت په لور د اصلي فلیټ څخه ±5.0°
11	ثانوي فلیټ اوږدوالی mm	8±1.7	11.2±1.5	18±2	22±2.5
12	TTV μm اعظمي	15	15	15	15
13	رکوع μm اعظمي	40	40	40	40
14	وارپ μm اعظمي	60	60	60	60
15	د څنډې اخراج mm اعظمي	1	2	3	3
16	د مایکروپیپ کثافت cm-2	<5، صنعتي؛<15، لابراتوار؛<50، ډمی
17	بې ځایه کیدنه cm-2	<3000, صنعتي;<20000, لابراتوار;<500000، ډمی
18	د سطحې خړپړتیا nm اعظمي	1 (پالش شوی)، 0.5 (CMP)
19	درزونه	هیڅ نه، د صنعتي درجې لپاره
20	مسدس پلیټونه	هیڅ نه، د صنعتي درجې لپاره
21	سکریچونه	≤3mm، ټول اوږدوالی د سبسټریټ قطر څخه کم
22	څنډه چپس	هیڅ نه، د صنعتي درجې لپاره
23	بسته بندي	واحد ویفر کانټینر په المونیم مرکب کڅوړه کې مهر شوی.

سیلیکون کاربایډ SiC 4H/6Hد لوړ کیفیت ویفر د ډیری غوره ګړندي ، لوړ تودوخې او لوړ ولټاژ بریښنایی وسیلو لکه Schottky diodes او SBD ، د لوړ بریښنا سویچنګ MOSFETs او JFETs ، او داسې نورو تولید لپاره مناسب دی. دا هم د پام وړ مواد دي د موصلې دروازې بایپولر ټرانزیسټرونو او تایریسټورونو څیړنه او پراختیا.د نوي نسل د غوره سیمی کنډکټینګ موادو په توګه ، سیلیکون کاربایډ SiC ویفر د لوړ ځواک LEDs اجزاو کې د تودوخې مؤثره خپرونکي په توګه هم کار کوي ، یا د راتلونکي هدف شوي ساینسي سپړنې په ګټه د GaN پرت وده کولو لپاره د مستحکم او مشهور سبسټریټ په توګه.