CZ سیلیکون ویفر

تفصیل

CZ واحد کرسټال سیلیکون ویفر د واحد کرسټال سیلیکون انګوټ څخه ټوټه شوی چې د Czochralski CZ ودې میتود لخوا ایستل شوی ، کوم چې په پراخه کچه د سیلیکون کریسټال ودې لپاره کارول کیږي د لوی سلنډریک انګوټونو لپاره چې د بریښنایی صنعت کې د سیمیکمډکټر وسیلو جوړولو لپاره کارول کیږي.په دې پروسه کې، د کریسټال سیلیکون یو پتلی تخم د کره اندازې زغم سره د سیلیکون په خوله شوي حمام کې معرفي کیږي چې د تودوخې درجه په دقیق ډول کنټرول کیږي.د تخم کرسټال ورو ورو له خټکي څخه په خورا کنټرول شوي نرخ کې پورته کیږي، د مایع پړاو څخه د اتومونو کرسټال ټینګښت په یو انټرفیس کې واقع کیږي، د تخم کرسټال او کرسټال د دې وتلو پروسې په جریان کې مخالف لوري ته حرکت کوي، یو لوی واحد جوړوي. کرسټال سیلیکون د تخم د کامل کرسټال جوړښت سره.

د مقناطیسي ساحې څخه مننه چې د معیاري CZ انګوټ ایستلو لپاره پلي کیږي ، د مقناطیسي ساحې هڅول شوي Czochralski MCZ واحد کرسټال سیلیکون په نسبي ډول د ناپاکۍ ټیټ غلظت ، د اکسیجن ټیټه کچه او بې ځایه کیدل ، او د یونیفورم مقاومت توپیر لري چې د لوړې ټیکنالوژۍ بریښنایی برخو او وسیلو کې ښه فعالیت کوي. په بریښنایی یا فوتوولټیک صنعتونو کې جوړونه.

تحویلي

CZ یا MCZ واحد کرسټال سیلیکون ویفر n-type and p-type conductivity په ویسټرن مین میټلز (SC) کارپوریشن کې د 2, 3, 4, 6, 8 او 12 انچ قطر (50, 75, 100, 125, 150، 200 او 300mm)، اورینټیشن <100>، <110>، <111> د فوم بکس یا کیسټ په کڅوړه کې د لیپ شوي سطحې پای سره، ایچ شوي او پالش شوي بهر د کارتن بکس سره.

اوس پوښتنه وکړئ

جزیات

ټګونه

تخنیکي مشخصات

CZ سیلیکون ویفر

CZ واحد کرسټال سیلیکون ویفر د مدغم سرکیټونو ، ډایډونو ، ټرانزیسټرونو ، جلا اجزاو په تولید کې لومړني توکي دي چې په ټولو ډولونو بریښنایی تجهیزاتو او سیمی کنډکټر وسیلو کې کارول کیږي ، په بیله بیا د اپیټاکسیل پروسس کولو کې سبسټریټ ، SOI ویفر سبسټریټ یا نیمه انسولیټینګ کمپاونډ ویفر فیبریکیشن ، په ځانګړي توګه لوی د 200mm، 250mm او 300mm قطر د الټرا لوړ مدغم وسیلو جوړولو لپاره غوره دي.واحد کرسټال سیلیکون د فوټوولټیک صنعت لخوا په لوی مقدار کې د لمریز حجرو لپاره هم کارول کیږي ، کوم چې نږدې بشپړ کرسټال جوړښت د بریښنا څخه تر بریښنا تبادلې ترټولو لوړ موثریت تولیدوي.

نه.	توکي	معیاري مشخصات
1	اندازه	2"	3"	4"	6"	8"	۱۲"
2	قطر mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5	200±0.5	300±0.5
3	چال چلن	P یا N یا غیر ډوپ شوی
4	اوریدنه	<100>، <110>، <111>
5	ضخامت μm	279، 381، 425، 525، 575، 625، 675، 725 یا لکه څنګه چې اړتیا وي
6	مقاومت Ω-cm	≤0.005، 0.005-1، 1-10، 10-20، 20-100، 100-300 او نور
7	RRV اعظمي	۸٪، ۱۰٪، ۱۲٪
8	لومړني فلیټ / اوږدوالی ملی میٹر	د SEMI معیاري یا د اړتیا په توګه
9	ثانوي فلیټ / اوږدوالی ملی میٹر	د SEMI معیاري یا د اړتیا په توګه
10	TTV μm اعظمي	10	10	10	10	10	10
11	رکوع او وارپ μm اعظمي	30	30	30	30	30	30
12	د سطحې پای	لکه کټ، L/L، P/E، P/P
13	بسته بندي	د فوم بکس یا کیسټ دننه، د کارتن بکس بهر.

سمبول	Si
اټومي شمیره	14
اټومي وزن	۲۸.۰۹
د عنصر کټګوري	Metalloid
ګروپ، موده، بلاک	۱۴، ۳، مخ
کرسټال جوړښت	الماس
رنګ	خړ خړ
د وېلې کېدو نقطه	1414°C، 1687.15 K
د اېشېدلو ټکی	3265°C، 3538.15 K
کثافت په 300K کې	2.329 g/cm³
داخلي مقاومت	3.2E5 Ω-cm
د CAS شمیره	7440-21-3
د EC شمیره	231-130-8

CZ یا MCZ واحد کرسټال سیلیکون ویفرپه ویسټرن مین میټلز (SC) کارپوریشن کې د n-type او p-ډول چلښت د 2, 3, 4, 6, 8 او 12 انچ قطر (50, 75, 100, 125, 150, 200 او 300mm) په اندازې کې وړاندې کیدی شي. اورینټیشن <100>, <110>, <111> د فوم بکس یا کیسټ په کڅوړه کې د کارټن بکس بهر سره لکه کټ شوي ، لیپ شوي ، ایچ شوي او پالش شوي د سطحې پای سره.