انډیم فاسفایډ InP

تفصیل

انډیم فاسفایډ InP,CAS نمبر 22398-80-7، د خټکي نقطه 1600 °C، د III-V کورنۍ یو بائنری مرکب سیمیکمډکټر، د مخ متمرکز کیوبیک "زنک بلینډ" کرسټال جوړښت، د ډیری III-V سیمیک کنډکټرونو سره ورته دی، سره ترکیب شوی. 6N 7N لوړ پاکوالی انډیم او فاسفورس عنصر، او د LEC یا VGF تخنیک لخوا په واحد کرسټال کې وده کوي.د انډیم فاسفایډ کرسټال تر 6″ (150 mm) قطر پورې د نور ویفر جوړونې لپاره n-type، p-type یا نیمه انسولیټینګ چالکتیا لپاره ډوپ شوی، چې د مستقیم بانډ تشه، د الکترونونو او سوراخونو لوړ حرکت او اغیزمن حرارتي ځانګړتیاوې لري. چال چلند انډیم فاسفایډ InP Wafer پرائم یا په ویسټرن مین میټلز (SC) کارپوریشن کې د ازموینې درجه د 2” 3” 4” او 6” (تر 150mm پورې) قطر په اندازه کې د p-type، n-type او نیمه موصلیت چلونکي سره وړاندیز کیدی شي. اورینټیشن <111> یا <100> او ضخامت 350-625um د سطحي پای سره د ایچ شوي او پالش یا Epi چمتو پروسې سره.په ورته وخت کې د انډیم فاسفایډ واحد کریسټال انګوټ 2-6″ د غوښتنې پراساس شتون لري.پولی کریسټالین انډیم فاسفایډ InP یا ملټي کرسټال InP ingot د D(60-75) x اوږدوالی (180-400) mm 2.5-6.0kg په اندازه د کیریر غلظت له 6E15 یا 6E15-3E16 څخه کم هم شتون لري.د مناسب حل ترلاسه کولو لپاره د غوښتنې پراساس هر ډول دودیز توضیحات شتون لري.

غوښتنلیکونه

د انډیم فاسفایډ InP ویفر په پراخه کچه د آپټو الیکترونیک اجزاو ، لوړ ځواک او لوړې فریکونسۍ بریښنایی وسیلو جوړولو لپاره کارول کیږي ، د اپیټیکسیل انډیم - ګالیم - ارسنایډ (InGaAs) پراساس د آپټو بریښنایی وسیلو لپاره د سبسټریټ په توګه.انډیم فاسفایډ د نوري فایبر مخابراتو ، مایکروویو بریښنا سرچینې وسیلو ، مایکروویو امپلیفیرونو او د دروازې FETs وسیلو ، د تیز سرعت ماډلیټرونه او عکس کشف کونکي ، او د سپوږمکۍ نیویګیشن او داسې نورو کې د خورا امید لرونکي ر lightا سرچینو لپاره په جوړولو کې هم دی.

اوس پوښتنه وکړئ

جزیات

ټګونه

تخنیکي مشخصات

انډیم فاسفایډ InP

انډیم فاسفایډ واحد کرسټالویفر (InP کریسټال ingot یا Wafer) په ویسټرن مین میټلز (SC) کارپوریشن کې د 2” 3” 4” او 6” (تر 150mm پورې) قطر کې د p-type، n-type او نیمه موصلیت چلونکي سره وړاندیز کیدی شي. اورینټیشن <111> یا <100> او ضخامت 350-625um د سطحي پای سره د ایچ شوي او پالش یا Epi چمتو پروسې سره.

انډیم فاسفایډ پولی کریسټالینیا Multi-Crystal ingot (InP poly ingot) د D(60-75) x L(180-400) mm د 2.5-6.0kg په اندازه د کیریر غلظت له 6E15 یا 6E15-3E16 څخه کم شتون لري.د مناسب حل ترلاسه کولو لپاره د غوښتنې پراساس هر ډول دودیز توضیحات شتون لري.

نه.	توکي	معیاري مشخصات
1	انډیم فاسفایډ واحد کرسټال	2"	3"	4"
2	قطر mm	50.8±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	د ودې طریقه	VGF	VGF	VGF
4	چال چلن	P/Zn-doped، N/(S-doped یا un-doped)، نیمه موصلیت
5	اوریدنه	(100)±0.5°، (111)±0.5°
6	ضخامت μm	350±25	600±25	600±25
7	اورینټیشن فلیټ mm	16±2	22±1	32.5±1
8	پیژندنه فلیټ mm	8±1	11±1	18±1
9	حرکت cm2/Vs	50-70, >2000, (1.5-4)E3
10	د کیریر غلظت cm-3	(0.6-6)E18، ≤3E16
11	TTV μm اعظمي	10	10	10
12	رکوع μm اعظمي	10	10	10
13	وارپ μm اعظمي	15	15	15
14	د بې ځایه کیدو کثافت cm-2 اعظمي	۵۰۰	1000	2000
15	د سطحې پای	P/E، P/P	P/E، P/P	P/E، P/P
16	بسته بندي	واحد ویفر کانټینر په المونیم مرکب کڅوړه کې مهر شوی.

نه.	توکي	معیاري مشخصات
1	انډیم فاسفایډ انګوټ	پولی کرسټال یا څو کرسټال انګوټ
2	کرسټال اندازه	D(60-75) x L(180-400)mm
3	د هر کرسټال انګوټ وزن	2.5-6.0Kg
4	خوځښت	≥3500 سانتي متره²/VS
5	د کیریر غلظت	≤6E15، یا 6E15-3E16 سانتي متره^-3
6	بسته بندي	هر InP کرسټال انګوټ په مهر شوي پلاستيکي کڅوړه کې دی، په یوه کارتن بکس کې 2-3 انګاټونه.

خطي فورمول	InP
مالیکولر وزن	145.79
کرسټال جوړښت	د زنک مخلوط
بڼه	کرسټال
د وېلې کېدو نقطه	1062 سانتي ګراد
د اېشېدلو ټکی	N/A
کثافت په 300K کې	4.81 g/cm³
د انرژي تشه	1.344 eV
داخلي مقاومت	8.6E7 Ω-cm
د CAS شمیره	22398-80-7
د EC شمیره	244-959-5

انډیم فاسفایډ ان پی ویفرپه پراخه کچه د آپټو الیکترونیک اجزاو ، لوړ ځواک او لوړې فریکونسۍ بریښنایی وسیلو جوړولو لپاره کارول کیږي ، د اپیټیکسیل انډیم-ګالیم-ارسنایډ (InGaAs) پراساس د آپټو - بریښنایی وسیلو لپاره د سبسټریټ په توګه.انډیم فاسفایډ د نوری فایبر مخابراتو ، مایکروویو بریښنا سرچینې وسیلو ، مایکروویو امپلیفیرونو او د دروازې FETs وسیلو ، د تیز سرعت ماډلیټرونه او عکس کشف کونکي ، او د سپوږمکۍ نیویګیشن او داسې نورو کې د خورا امید لرونکي ر lightا سرچینو لپاره په جوړولو کې هم دی.