Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

Epitaxial (EPI) سیلیکون ویفر

تفصیل

Epitaxial Silicon Waferیا EPI سیلیکون ویفر، د سیمی کنډکټینګ کرسټال پرت ویفر دی چې د سیلیکون سبسټریټ پولش کرسټال سطح ته د اپیټیکسیل ودې په واسطه زیرمه شوی.د epitaxial طبقه کیدای شي د همجنس epitaxial ودې په واسطه د سبسټریټ په څیر ورته مواد وي، یا یو خارجي پرت چې د متفاوت epitaxial ودې په واسطه د ځانګړي مطلوب کیفیت سره وي، کوم چې د epitaxial ودې ټیکنالوژي غوره کوي د کیمیاوي بخار ډیپوزیشن CVD، د مایع پړاو epitaxy LPE، او همدارنګه مالیکولر بیم. epitaxy MBE د ټیټ عیب کثافت لوړ کیفیت او د سطحې ښه خرابوالی ترلاسه کولو لپاره.د سیلیکون ایپیټیکسیل ویفرونه په عمده ډول د پرمختللي سیمیکمډکټر وسیلو په تولید کې کارول کیږي ، خورا مدغم شوي سیمیکمډکټر عناصر ICs ، جلا او بریښنا وسیلې ، همدارنګه د ډیایډ او ټرانزیسټور عنصر یا د IC لپاره سبسټریټ لکه د بایپولر ډول ، MOS او BiCMOS وسیلو لپاره هم کارول کیږي.برسېره پردې، د ډیری پرت epitaxial او موټ فلم EPI سیلیکون ویفرونه اکثرا په مایکرو الیکټرانیک، فوټونیک او فوتوولټیک غوښتنلیک کې کارول کیږي.

تحویلي

Epitaxial Silicon Wafers یا EPI Silicon Wafers په West Minmetals (SC) کارپوریشن کې د 4، 5 او 6 انچ (100mm، 125mm، 150mm قطر) په اندازې کې وړاندې کیدی شي، د <100>، <111>، epilayer مقاومت <1ohm سره. - سانتي متره یا تر 150ohm-cm پورې، او د ایپی لیر ضخامت <1um یا تر 150um پورې، د دې لپاره چې د ایچ شوي یا LTO درملنې سطحې پای کې مختلف اړتیاوې پوره کړي، په کیسټ کې د کارټون بکس سره بسته شوي، یا د مناسب حل لپاره د دودیز مشخصاتو په توګه .

اوس پوښتنه وکړئ

جزیات

ټګونه

تخنیکي مشخصات

ایپی سیلیکون ویفر

Epitaxial Silicon Wafersیا په ویسټرن مین میټلز (SC) کارپوریشن کې د EPI سیلیکون ویفر د 4، 5 او 6 انچ (100mm، 125mm، 150mm قطر) په اندازې کې وړاندې کیدی شي، د <100>، <111>، د اپیلایر مقاومت <1ohm-cm یا تر 150ohm-cm پورې، او د ایپی لیر ضخامت <1um یا تر 150um پورې، د ایچ یا LTO درملنې سطحې بشپړولو کې مختلف اړتیاوې پوره کولو لپاره ، په کیسټ کې د کارټون بکس سره پیکل شوي ، یا د مناسب حل لپاره د دودیز مشخصاتو په توګه.

سمبول	Si
اټومي شمیره	14
اټومي وزن	۲۸.۰۹
د عنصر کټګوري	Metalloid
ګروپ، موده، بلاک	۱۴، ۳، مخ
کرسټال جوړښت	الماس
رنګ	خړ خړ
د وېلې کېدو نقطه	1414°C، 1687.15 K
د اېشېدلو ټکی	3265°C، 3538.15 K
کثافت په 300K کې	2.329 g/cm³
داخلي مقاومت	3.2E5 Ω-cm
د CAS شمیره	7440-21-3
د EC شمیره	231-130-8

نه.	توکي	معیاري مشخصات
1	عمومي ځانګړتیاوې
1-1	اندازه	4"	5"	6"
1-2	قطر mm	100±0.5	125±0.5	150±0.5
1-3	اوریدنه	<100>، <111>	<100>، <111>	<100>، <111>
2	د Epitaxial پرت ځانګړتیاوې
2-1	د ودې طریقه	CVD	CVD	CVD
2-2	د چلولو ډول	P یا P+، N/ یا N+	P یا P+، N/ یا N+	P یا P+، N/ یا N+
2-3	ضخامت μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	د ضخامت یونیفورم	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	مقاومت Ω-cm	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	د مقاومت یووالی	≤3%	≤5%	-
2-7	بې ځایه کیدنه cm-2	<10	<10	<10
2-8	د سطحې کیفیت	هیڅ چپ، دوړې یا نارنجي پوست پاتې نه وي، او داسې نور.
3	د سبسټریټ ځانګړتیاوې اداره کول
3-1	د ودې طریقه	CZ	CZ	CZ
3-2	د چلولو ډول	P/N	P/N	P/N
3-3	ضخامت μm	525-675	525-675	525-675
3-4	ضخامت یونیفورم اعظمي	3%	3%	3%
3-5	مقاومت Ω-cm	لکه څنګه چې اړتیا وي	لکه څنګه چې اړتیا وي	لکه څنګه چې اړتیا وي
3-6	د مقاومت یووالی	5%	5%	5%
3-7	TTV μm اعظمي	10	10	10
3-8	رکوع μm اعظمي	30	30	30
3-9	وارپ μm اعظمي	30	30	30
3-10	EPD cm-2 اعظمي	100	100	100
3-11	د څنډې پروفایل	ګرد شوی	ګرد شوی	ګرد شوی
3-12	د سطحې کیفیت	هیڅ چپ، دوړې یا نارنجي پوست پاتې نه وي، او داسې نور.
3-13	شاته خوا پای	ایچ یا LTO (5000±500Å)
4	بسته بندي	کیسټ دننه، د کارتن بکس بهر.

سیلیکون ایپیټیکسیل ویفرونهپه عمده ډول د پرمختللي سیمیکمډکټر وسیلو په تولید کې کارول کیږي ، خورا مدغم شوي سیمیکمډکټر عناصر ICs ، جلا او بریښنا وسیلې ، همدارنګه د ډیایډ او ټرانزیسټور عنصر یا د IC لپاره سبسټریټ لکه د بایپولر ډول ، MOS او BiCMOS وسیلو لپاره کارول کیږي.برسېره پردې، د ډیری پرت epitaxial او موټ فلم EPI سیلیکون ویفرونه اکثرا په مایکرو الیکټرانیک، فوټونیک او فوتوولټیک غوښتنلیک کې کارول کیږي.